全球客製化記憶體解決方案設計公司愛普科技今日宣布，新一代矽電容(S-SiCapTM, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過客戶驗證，此產品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優勢，可在先進封裝製程中與系統單晶片(SoC)進行彈性客製化整合，滿足客戶在高階手機及高效能運算(HPC)晶片的應用需求。
愛普科技的S-SiCapTM使用先進的堆疊式電容技術(Stack Capacitor)開發，相比傳統深溝式電容技術(Deep Trench Capacitor)的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩定性。S-SiCapTM Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm2，操作電壓最高可支援1.2V，同時具有相當低的等效串聯電感(Equivalent Series Inductance)及等效串聯電阻(Equivalent Series Resistance)，在高頻操作下能提供優異的穩壓能力。
S-SiCapTM具有超薄、客製化尺寸的特色，在先進封裝製程中，能滿足多樣整合應用並且與SoC更接近。例如：接腳側矽電容(S-SiCapTM on the landside)、封裝基板內埋矽電容(S-SiCapTM embedded in package substrate)、2.5D封裝應用矽電容(S-SiCapTM for 2.5D packaging)、矽電容中介層(S-SiCapTM in an interposer)等。
愛普科技總經理洪志勳表示，在高階手機及HPC晶片的應用趨勢中，SoC需提供更高的效能，但同時可能會伴隨功耗增加、電壓不穩的情況，客戶為了穩定電壓，對電容規格的要求也會提高，優化產品整體表現。愛普新一代S-SiCapTM Gen3超越傳統電容，電容密度更高、更薄、應用更多元，可搭配先進封裝製程大幅提升SoC效能，在目前市場上極具優勢。
關於愛普科技股份有限公司
愛普科技股份有限公司(TWSE:6531)是無晶圓廠客製化記憶體設計和IP解決方案的半導體公司。產品包括：IoT記憶體產品(IoTRAMTM)、AI記憶體解決方案(VHMTM)、矽電容(S-SiCapTM)。愛普科技擁有強大的研發能力，長期致力為行動通訊、穿戴裝置、物聯網、高階手機應用、高效能運算、邊緣運算等領域，提供高效能、低功耗的創新客製化晶片及解決方案，協助全球製造商打造更具競爭力的產品。