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赋能智能化生活体验升级

智能化生活逐渐普及。爱普科技针对各种智能应用设备，设计、开发定制化存储器，运用于各种创新产品中，改善着人们每一天的生活。

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加快实现您的理想

微处理器中的缓冲存储器可赋予设备感知、思考与自动执行命令的能力。爱普科技帮助设备升级、加速、智能化，让您的理念成为现实。

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轻、薄、小
穿戴式世界

爱普科技的定制化IoT RAM存储器为了穿戴式设备做得更加轻薄短小，但效能与省电的功能却更强大，给予更优异的系统功能，赋予穿戴设备更多元的功能。

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突破您想像的限制

突破您想像的限制

各种应用

爱普科技是定制化存储器供应商，针对客户的各种应用与特殊需求，设计、优化，使客户可以轻易的凸显自己的产品特色，保持竞争优势。

车用电子
车用电子
智能语音
智能语音
物联网
物联网
智能影像
智能影像
可穿戴设备
可穿戴设备
边缘计算人工智慧
边缘计算人工智慧
客制化服务
客制化服务
手机与连网装置
手机与连网装置
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克服万难，征服更远大的目标

身为多年以来的高品质、高效能中低容量定制化存储器领导品牌，爱普科技总能以努力不懈的精神、创新思维来突破科技门槛、改变并丰富人们的生活方式。

Application sPecific Memory

将您的生活与世界无缝接轨

智能语音
智能语音
智能影像
智能影像

100% WIN
100%
品质

符合并通过国际标准
ISO9001:2015

100%
成本

最优化的成本考量

100%
效能

定制化设计，带给客户最适切、最精良的产品

100%
功耗

特殊设计Half Sleep(半休眠)
功能以延长产品使用时间

公司最新动态

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爱普科技独立董事异动公告

  本公司（6531 TW）今日（21）发布二则重大讯息，一为独立董事叶瑞斌先生向本公司提出辞任书，请辞公司独立董事、审计委员会及薪酬委员会委员，另一为法人董事-山一投资有限公司法人代表改由叶瑞斌先生担任。   叶瑞斌先生自2017年起担任本公司独立董事至今，期间亦担任本公司审计委员会委员、薪酬委员会委员，另自2021年8月起担任此二功能性委员会召集人。任职期间叶瑞斌先生以独立董事身分，对于爱普科技的发展策略、经营方针、公司治理等各方面，客观地提出诸多卓越前瞻的建议及提醒，让公司受益良多，实属功高望重。   近日爱普关联企业积极邀请叶瑞斌先生出任营运职位，叶先生一直以来对于爱普集团的发展策略及企业文化深感认同，在几经斟酌后，叶先生决定于参与关联企业实质营运前，先行辞任本公司之独立董事；同时，叶先生并将应本公司法人董事-山一投资有限公司之邀，转换身分出任其法人董事代表，以其专业能力与丰富经历，持续为爱普提供宝贵的建议，指导经营管理团队，在未来产业的布局提供专业指引。   于叶瑞斌先生辞任独立董事后，本公司目前为三席独立董事：刘容西先生、王瑄女士及孙又文女士，三位独董仍将持续秉持公司治理的精神，督导公司合规自律，俾协助公司能永续营运、进步成长；于此同时，为强化董事会结构，本公司规划在不久的未来尽快完成独立董事的补选，以保障全体股东及利害关系人权益，推动公司长期的成功。…

10/21/2024
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愛普科技與Mobiveil攜手開發UHS PSRAM控制器，提供SoC業者全新解決方案

  愛普 UHS PSRAM擁有更強性能、低功耗、少引腳數特點，瞄準物聯網應用場景   全球客製化記憶體解決方案設計公司愛普科技與矽智慧財產權（SIP）、平台與IP設計服務供應商Mobiveil今日宣布，已成功開發出專屬愛普的Ultra High Speed (UHS) PSRAM的IP控制器，為SoC業者提供一個更高性能、更低功耗的全新選擇。   Mobiveil結合愛普UHS PSRAM記憶體超高頻寬和少引腳數的產品優勢，為控制器和UHS PSRAM設計全新介面，優化SOC整體性能；對於有尺寸限制的IoT產品應用，提供更簡易的設計，加速上市時間。Mobiveil 的首席營運長 Gopa Periyadan 表示，結合 Mobiveil 的IP控制器與愛普的 UHS PSRAM，將為邊緣運算、智能家居、可穿戴裝置、顯示器、數據連網設備和通訊等應用場景提供更低功耗以及高性能的解決方案。  …

06/07/2024
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爱普高电容密度硅电容S-SiCapTM Gen3通过客户验证

  全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布，新一代硅电容(S-SiCapTM, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通过客户验证，此产品具备超高电容密度及超薄(<100um薄度)等优势，可在先进封装制程中与系统单芯片(SoC)进行弹性客制化整合，满足客户在高端手机及高性能计算(HPC)芯片的应用需求。   爱普科技的S-SiCapTM使用先进的堆栈式电容技术(Stack Capacitor)开发，相比传统深沟式电容技术(Deep Trench Capacitor)的电容密度更高、体积更小更薄，且具有极佳的温度与电压稳定性。S-SiCapTM Gen3的电容值密度可达2.5uF/mm2，操作电压最高可支持1.2V，同时具有相当低的等效串联电感(Equivalent Series Inductance)及等效串联电阻(Equivalent Series Resistance)，在高频操作下能提供优异的稳压能力。   S-SiCapTM具有超薄、客制化尺寸的特色，在先进封装制程中，能满足多样整合应用并且与SoC更接近。例如：接脚侧硅电容(S-SiCapTM on the landside)、封装基板内埋硅电容(S-SiCapTM embedded in package substrate)、2.5D封装应用硅电容(S-SiCapTM…

03/21/2024

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